[1]李艳芳,李 洋,李 迎,等.不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究[J].东华理工大学学报(自然科学版),2019,42(1):95-100.
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不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究()
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《东华理工大学学报(自然科学版)》[ISSN:1674-3504/CN:36-1300/N]

卷:
42卷
期数:
2019年第1期
页码:
95-100
栏目:
OA栏目
出版日期:
2019-04-12

文章信息/Info

作者:
李艳芳12 李 洋12 李 迎12 谭嘉进2 方 诚2
1.东华理工大学 江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心, 江西 南昌 330013;2.东华理工大学 理学院,江西 南昌 330013
关键词:
光刻投影曝光特征尺寸杂散光Kirk模拟模型PSFF函数拟合模型
分类号:
TN305.7
文献标志码:
A
摘要:
杂散光仿真模型在光刻投影系统应用中具有重要的作用。由于杂散光对光刻掩模特征尺寸CD(Critical Dimension)成像有一定的影响,亟需一种恰当的杂散光成像模型。通过采用PSFF函数杂散光拟合模型和Kirk杂散光模拟模型,提出了一种改进的考虑杂散光成像的光刻模型。利用改进的杂散光模型研究了在相同杂散光总量下,不同比例中程、远程杂散光对特征尺寸的影响。结果显示,当总杂散光量相同时,仿真分析得出远程杂散光的影响大于中程杂散光,即远程杂散光的比例占的越大,显影后的特征尺寸比实际特征尺寸越小。
更新日期/Last Update: 2019-04-12