[1]朱志甫,黄 河,邹继军,等.GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究[J].东华理工大学学报(自然科学版),2018,41(04):400-404.
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GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究()
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《东华理工大学学报(自然科学版)》[ISSN:1674-3504/CN:36-1300/N]

卷:
41卷
期数:
2018年04期
页码:
400-404
栏目:
OA栏目
出版日期:
2019-01-17

文章信息/Info

作者:
朱志甫12黄 河2邹继军2汤 彬1
1.东华理工大学 核技术应用教育部工程研究中心,江西 南昌 330013; 2.东华理工大学 江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西 南昌 330013
关键词:
GaN能量刻度探测器能谱带电粒子
分类号:
TL817.2
文献标志码:
A
摘要:
分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用241Am和239Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器 241Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的241Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。

相似文献/References:

[1]黄 河,朱志甫,王仁波,等.PIN结构GaN基α粒子探测器的设计[J].东华理工大学学报(自然科学版),2014,37(2):245.

更新日期/Last Update: 2019-01-17